Infineon Technologies IRL3303SPBF
- 收藏
- 对比
IRL3303SPBF
1211-IRL3303SPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
1最小包装量--
IRL3303SPBF详情
Infineon Technologies IRL3303SPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
38A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
3.8W Ta 68W Tc
Turn Off Delay Time
14 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
30V
额定电流
38A
元素配置
Single
功率耗散
68W
接通延迟时间
7.4 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
26mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
870pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
26nC @ 4.5V
上升时间
200ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
36 ns
连续放电电流(ID)
38A
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏源击穿电压
30V
输入电容
870pF
漏源电阻
40mOhm
最大rds
26 mΩ
高度
4.572mm
长度
10.668mm
宽度
9.65mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRL3303SPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies









哦! 它是空的。