Infineon Technologies IRL3705ZPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

130W Tc

Turn Off Delay Time

26 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

8mOhm

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

55V

额定电流

75A

元素配置

Single

功率耗散

130W

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

8mOhm @ 52A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2880pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60nC @ 5V

上升时间

240ns

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

83 ns

连续放电电流(ID)

75A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏源击穿电压

55V

双电源电压

55V

输入电容

2.88nF

恢复时间

24 ns

漏源电阻

12mOhm

最大rds

8 mΩ

栅源电压

3 V

高度

9.017mm

长度

10.6426mm

宽度

4.82mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅