Infineon Technologies IRL60B216

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

375W Tc

Turn Off Delay Time

190 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

195A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®, StrongIRFET™

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

70 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.9m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

15570pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

258nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

195A

阈值电压

2.4V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0019Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

780A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

1045 mJ

高度

16.51mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

达到SVHC

Unknown

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅