Infineon Technologies IRL6283MTRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MD

引脚数

8

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

38A Ta 211A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Power Dissipation (Max)

2.1W Ta 63W Tc

Turn Off Delay Time

116 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®, StrongIRFET™

已出版

2013

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

通道数量

1

元素配置

Single

功率耗散

2.1W

接通延迟时间

23 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

0.75m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8292pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

158nC @ 4.5V

上升时间

160ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

192 ns

连续放电电流(ID)

211A

阈值电压

800mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅