Infineon Technologies IRL8113STRLPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

105A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Turn Off Delay Time

18 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

110W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6m Ω @ 21A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.25V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2840pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 4.5V

上升时间

38ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

105A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

42A

漏极-源极导通最大电阻

0.006Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

420A

雪崩能量等级（Eas）

220 mJ

高度

4.699mm

长度

10.668mm

宽度

9.65mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅