Infineon Technologies IRLML2402TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

Micro3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

540mW Ta

Turn Off Delay Time

9.7 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2003

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

250mOhm

附加功能

HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1.2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

540mW

接通延迟时间

2.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

250m Ω @ 930mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

700mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

110pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.9nC @ 4.5V

上升时间

9.5ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

4.8 ns

连续放电电流(ID)

1.2A

阈值电压

700mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

20V

双电源电压

20V

栅源电压

700 mV

最小击穿电压

20V

高度

1.016mm

长度

3.0226mm

宽度

3.05mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅