Infineon Technologies IRLSL4030PBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

180A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

370W Tc

Turn Off Delay Time

110 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

4.3Ohm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

370W

接通延迟时间

74 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.3m Ω @ 110A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11360pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

130nC @ 4.5V

上升时间

330ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

170 ns

连续放电电流(ID)

180A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏源击穿电压

100V

栅源电压

2.5 V

高度

9.652mm

长度

10.668mm

宽度

4.826mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅