Infineon Technologies IRLU3114ZPBF
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IRLU3114ZPBF
1211-IRLU3114ZPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
1最小包装量--
IRLU3114ZPBF详情
Infineon Technologies IRLU3114ZPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
引脚数
3
供应商器件包装
I-PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
42A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
140W Tc
Turn Off Delay Time
33 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2007
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
140W
接通延迟时间
25 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.9mOhm @ 42A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3810pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
56nC @ 4.5V
上升时间
140ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
50 ns
连续放电电流(ID)
130A
阈值电压
2.5V
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏源击穿电压
40V
输入电容
3.81nF
漏源电阻
6.5mOhm
最大rds
4.9 mΩ
高度
6.22mm
长度
6.7056mm
宽度
2.3876mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
IRLU3114ZPBF拓展信息
Infineon Technologies
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