Infineon Technologies IRS21867SPBF
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IRS21867SPBF
1211-IRS21867SPBF
PMIC - 栅极驱动器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
--最小包装量--
IRS21867SPBF详情
Infineon Technologies IRS21867SPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Driver Configuration
Half-Bridge
Logic voltage-VIL, VIH
0.8V 2.5V
Turn Off Delay Time
170 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
1996
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
未说明
最大功率耗散
625mW
电压 - 供电
10V~20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
15V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
IRS21867SPBF
输出的数量
2
资历状况
不合格
输出电压
20V
最大输出电流
4A
电源
15V
电源电流
240μA
功率耗散
625mW
输出电流
4A
传播延迟
250 ns
输入类型
CMOS, TTL
接通延迟时间
170 ns
上升时间
38ns
下降时间(典型值)
30 ns
上升/下降时间(Typ)
22ns 18ns
信道型
Independent
闸门类型
IGBT, N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
4A 4A
内置保护器
TRANSIENT; OVER CURRENT; UNDER VOLTAGE
高压侧电压-最大值(自举)
600V
长度
4.9mm
座位高度(最大)
1.75mm
宽度
3.9mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRS21867SPBF拓展信息
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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