Infineon Technologies IRS21952SPBF
- 收藏
- 对比
IRS21952SPBF
1211-IRS21952SPBF
PMIC - 栅极驱动器
16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

IC GATE DRVR HALF BRD/LOW 16SOIC
1最小包装量--
IRS21952SPBF详情
Infineon Technologies IRS21952SPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
16
Driver Configuration
Half-Bridge, Low-Side
Logic voltage-VIL, VIH
0.6V 3.5V
Turn Off Delay Time
330 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
1996
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
16
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
最大功率耗散
1W
电压 - 供电
10V~20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
2
电源电压
15V
端子间距
1.27mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
IRS21952SPBF
资历状况
不合格
输出电压
20V
最大输出电流
500mA
电源
15V
电源电流
400μA
功率耗散
1W
输出电流
500mA
传播延迟
330 ns
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
330 ns
上升时间
25ns
下降时间(典型值)
25 ns
上升/下降时间(Typ)
25ns 25ns
接口IC类型
基于缓冲器或反相器的外设驱动器
信道型
Independent
驱动器数量
3
输出峰值电流限制-名
0.5A
闸门类型
N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
500mA 500mA
内置保护器
TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
高压侧电压-最大值(自举)
600V
高度
1.4986mm
长度
9.9568mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRS21952SPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies











哦! 它是空的。