P2000DL45X168APTHPSA1
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Infineon Technologies P2000DL45X168APTHPSA1

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型号

P2000DL45X168APTHPSA1

utmel 编号

1211-P2000DL45X168APTHPSA1

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

DO-200AE

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

PRESS PACK IGBT BG-P16826K-1

起订量

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P2000DL45X168APTHPSA1
P2000DL45X168APTHPSA1 Infineon Technologies PRESS PACK IGBT BG-P16826K-1

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P2000DL45X168APTHPSA1详情

Infineon Technologies P2000DL45X168APTHPSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    DO-200AE

  • 供应商器件包装

    BG-P16826K-1

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Package

    Tray

  • Product Status

    活跃

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    2000 A

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Part # Aliases

    P2000DL45X168APT SP005742884

  • Manufacturer

    Infineon

  • Brand

    Infineon Technologies

  • RoHS

    Details

  • 系列

    -

  • 操作温度

    -40°C ~ 150°C (TJ)

  • 包装

    Tray

  • 子类别

    IGBTs

  • 配置

    Single

  • 输入

    Standard

  • 产品类别

    IGBT模块

  • 最大集极截止电流

    200 μA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    4500 V

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.5V @ 15V, 2000A

  • IGBT类型

    Trench

  • NTC热敏电阻

  • 输入电容(Cies)@Vce

    420 nF @ 25 V

  • 产品类别

    IGBT模块

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies P2000DL45X168APTHPSA1.

P2000DL45X168APTHPSA1拓展信息

FP30R06W1E3BOMA1
FP30R06W1E3BOMA1

Infineon Technologies

FS820R08A6P2BBPSA1
FS820R08A6P2BBPSA1

Infineon Technologies

FF450R12ME4BOSA1
FF450R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF300R12KS4HOSA1
FF300R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

FF450R17ME4BOSA1
FF450R17ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF600R12ME4BOSA1
FF600R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FP25R12W2T4BOMA1
FP25R12W2T4BOMA1

Infineon Technologies

FF75R12RT4HOSA1
FF75R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

FD150R12RT4HOSA1
FD150R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

FF225R12ME4BOSA1
FF225R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

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