Infineon Technologies P2000DL45X168HPSA1
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P2000DL45X168HPSA1
1211-P2000DL45X168HPSA1
晶体管 - IGBT - 模块
TO-200AF
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PRESS PACK IGBT
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P2000DL45X168HPSA1详情
Infineon Technologies P2000DL45X168HPSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
TO-200AF
供应商器件包装
BG-P16826K-1
厂商
Infineon Technologies
Package
Tray
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
2000 A
Base Product Number
P2000D
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.25V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Continuous Collector Current at 25 C
2000 A
Mounting Styles
电缆安装
Part # Aliases
P2000DL45X168 SP005729091
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
4500 V
系列
-
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
包装
Tray
子类别
IGBTs
配置
Single
功率耗散
-
输入
Standard
产品类别
IGBT模块
最大集极截止电流
200 μA
电压 - 集射极击穿(最大值)
4500 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 2000A
连续集电极电流
2kA
IGBT类型
Trench
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
420 nF @ 25 V
产品
IGBT硅模块
产品类别
IGBT模块
P2000DL45X168HPSA1拓展信息
Infineon Technologies
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