Infineon Technologies SPA11N80C3XKSA1

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

34W Tc

Turn Off Delay Time

72 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

800V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

11A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

电压

800V

元素配置

Single

电流

11A

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

41W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

450m Ω @ 7.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 680μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1600pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

85nC @ 10V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

11A

阈值电压

3V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.45Ohm

漏源击穿电压

800V

雪崩能量等级（Eas）

470 mJ

高度

9.83mm

长度

10.65mm

宽度

4.85mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅