STMicroelectronics STF15NM65N
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STF15NM65N
2381-STF15NM65N
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
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STMICROELECTRONICS STF15NM65N Power MOSFET, N Channel, 12 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
--最小包装量--
STF15NM65N详情
STMicroelectronics STF15NM65N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
16 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220FP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
30W Tc
Turn Off Delay Time
14 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ II
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
380MOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
基本部件号
STF15
元素配置
Single
功率耗散
35W
接通延迟时间
55.5 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
983pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
33.3nC @ 10V
上升时间
8ns
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
26 ns
连续放电电流(ID)
12A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
650V
输入电容
983pF
漏源电阻
270mOhm
最大rds
380 mΩ
高度
16.4mm
长度
10.4mm
宽度
4.6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STF15NM65N拓展信息
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