STF15NM65N
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STMicroelectronics STF15NM65N

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型号

STF15NM65N

utmel 编号

2381-STF15NM65N

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3 Full Pack

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

STMICROELECTRONICS STF15NM65N Power MOSFET, N Channel, 12 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V

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STF15NM65N详情

STMicroelectronics STF15NM65N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3 Full Pack

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    TO-220FP

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    12A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    30W Tc

  • Turn Off Delay Time

    14 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    MDmesh™ II

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 电阻

    380MOhm

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 基本部件号

    STF15

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    35W

  • 接通延迟时间

    55.5 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    380mOhm @ 6A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    983pF @ 50V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    33.3nC @ 10V

  • 上升时间

    8ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    650V

  • Vgs(最大值)

    ±25V

  • 下降时间(典型值)

    26 ns

  • 连续放电电流(ID)

    12A

  • 阈值电压

    3V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    25V

  • 漏源击穿电压

    650V

  • 输入电容

    983pF

  • 漏源电阻

    270mOhm

  • 最大rds

    380 mΩ

  • 高度

    16.4mm

  • 长度

    10.4mm

  • 宽度

    4.6mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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