Infineon Technologies SPD07N60C3BTMA1

工厂交货时间

52 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

83W Tc

Turn Off Delay Time

60 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™

已出版

2003

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

83W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

600m Ω @ 4.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 350μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

790pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

27nC @ 10V

上升时间

3.5ns

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

7.3A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.6Ohm

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

230 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅