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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.521517
10
¥8.982563
100
¥8.474116
500
¥7.994449
1000
¥7.541933
Infineon Technologies SPD15P10PGBTMA1
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- 对比
SPD15P10PGBTMA1
1211-SPD15P10PGBTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
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Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SPD15P10PGBTMA1详情
Infineon Technologies SPD15P10PGBTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
15A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
128W Tc
Turn Off Delay Time
33 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
已出版
2007
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
雪崩 额定
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
128W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9.5 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
240m Ω @ 10.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 1.54mA
无卤素
不含卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1280pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
48nC @ 10V
上升时间
23ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
16 ns
连续放电电流(ID)
15A
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
-100V
漏极-源极导通最大电阻
0.24Ohm
漏源击穿电压
-100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
栅源电压
-3 V
高度
2.41mm
长度
6.73mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead, Lead Free
SPD15P10PGBTMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Infineon Technologies
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