Infineon Technologies SPP11N60C3XKSA1
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SPP11N60C3XKSA1
1211-SPP11N60C3XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
--最小包装量--
SPP11N60C3XKSA1详情
Infineon Technologies SPP11N60C3XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO220-3-1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
125W Tc
Turn Off Delay Time
44 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2005
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
650V
额定电流
11A
功率耗散
125W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
380mOhm @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 500μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1200pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
60nC @ 10V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
11A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
600V
漏源击穿电压
600V
输入电容
1.2nF
漏源电阻
380mOhm
最大rds
380 mΩ
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SPP11N60C3XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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