Infineon Technologies SPW20N60CFDFKSA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20.7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

208W Tc

Turn Off Delay Time

59 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

650V

端子位置

SINGLE

额定电流

20.7A

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

35W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

220m Ω @ 13.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

124nC @ 10V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6.4 ns

连续放电电流(ID)

20.7A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

600V

漏极-源极导通最大电阻

0.22Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

52A

雪崩能量等级（Eas）

690 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅