Infineon Technologies AG BFR 182 E6327
- 收藏
- 对比
BFR 182 E6327
1211-BFR 182 E6327
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
--
大陆
立即发货

BFR 182 E6327 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - RF product details from Infineon Technologies AG stock available at utmel
1最小包装量--
BFR 182 E6327详情
Infineon Technologies AG BFR 182 E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
150°C
JESD-609代码
e3
无铅代码
icon-pbfree yes
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
转换频率
8000MHz
集电极电流-最大值(IC)
0.035A
集电极-发射器电压-最大值
12V
最高频段
超高频B型
集电极-基极电容-最大值
0.5pF
RoHS状态
符合RoHS标准
BFR 182 E6327拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。