BSM75GB60DLC
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Infineon Technologies AG BSM75GB60DLC

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型号

BSM75GB60DLC

utmel 编号

1211-BSM75GB60DLC

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Modules 600V 75A DUAL

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BSM75GB60DLC
BSM75GB60DLC Infineon Technologies AG IGBT Modules 600V 75A DUAL

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BSM75GB60DLC详情

Infineon Technologies AG BSM75GB60DLC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    7

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    2

  • Operating Temperature (Max.)

    150°C

  • 无铅代码

    icon-pbfree no

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    7

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X7

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大耗散功率(Abs)

    355W

  • 接通时间

    90 ns

  • 集电极电流-最大值(IC)

    100A

  • 关断时间-标准值(toff)

    205 ns

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • VCEsat-最大值

    2.45 V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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技术文档: Infineon Technologies AG BSM75GB60DLC.

BSM75GB60DLC拓展信息

FP30R06W1E3BOMA1
FP30R06W1E3BOMA1

Infineon Technologies

FS820R08A6P2BBPSA1
FS820R08A6P2BBPSA1

Infineon Technologies

FF450R12ME4BOSA1
FF450R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF300R12KS4HOSA1
FF300R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

FF450R17ME4BOSA1
FF450R17ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF600R12ME4BOSA1
FF600R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FP25R12W2T4BOMA1
FP25R12W2T4BOMA1

Infineon Technologies

FF75R12RT4HOSA1
FF75R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

FD150R12RT4HOSA1
FD150R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

FF225R12ME4BOSA1
FF225R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

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