Infineon Technologies AG BSO150N03MD G
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BSO150N03MD G
1211-BSO150N03MD G
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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BSO150N03MD G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Infineon Technologies AG stock available at utmel
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BSO150N03MD G详情
Infineon Technologies AG BSO150N03MD G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Operating Temperature (Max.)
150°C
JESD-609代码
e3
无铅代码
icon-pbfree yes
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7A
漏极-源极导通最大电阻
0.015Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS状态
符合RoHS标准
BSO150N03MD G拓展信息
Infineon Technologies
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