Infineon Technologies AG BSO615N G

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Operating Temperature (Max.)

150°C

JESD-609代码

e3

无铅代码

icon-pbfree yes

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.6A

漏极-源极导通最大电阻

0.15Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

10.4A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2W

RoHS状态

符合RoHS标准