Infineon Technologies AG FF150R12KE3G
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FF150R12KE3G
1211-FF150R12KE3G
晶体管 - IGBT - 模块
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FF150R12KE3G datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Modules product details from Infineon Technologies AG stock available at utmel
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FF150R12KE3G详情
Infineon Technologies AG FF150R12KE3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
7
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Operating Temperature (Max.)
150°C
无铅代码
icon-pbfree yes
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
7
JESD-30代码
R-XUFM-X7
资历状况
不合格
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)
780W
接通时间
400 ns
集电极电流-最大值(IC)
225A
关断时间-标准值(toff)
830 ns
集电极-发射器电压-最大值
1200V
栅极-发射极电压-最大值
20V
VCEsat-最大值
2.15 V
RoHS状态
符合RoHS标准
FF150R12KE3G拓展信息
Infineon Technologies
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