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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4681.692201
10
¥4416.690755
100
¥4166.689393
500
¥3930.839052
1000
¥3708.338728
Infineon Technologies AG FF600R12KF4NOSA1
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- 对比
FF600R12KF4NOSA1
1211-FF600R12KF4NOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
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Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 3900000mW 10-Pin IHM130-2 Tray
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FF600R12KF4NOSA1详情
Infineon Technologies AG FF600R12KF4NOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
供应商器件包装
-
Maximum Continuous Collector Current (A)
600
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)
0.4
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Supplier Package
IHM130-2
Military
无
Mounting
Screw
Package Height
38
Package Length
140
Package Width
130
PCB changed
10
Maximum Gate Emitter Voltage (V)
±20
Maximum Power Dissipation (mW)
3900000
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
1200
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)
2.7
ECCN (US)
EAR99
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
600 A
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
包装
Tray
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
零件状态
Obsolete
引脚数量
10
配置
Dual
功率 - 最大
3900 W
输入
Standard
最大集极截止电流
8 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
信道型
N
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.2V @ 15V, 600A
连续集电极电流
600
IGBT类型
-
NTC热敏电阻
无
输入电容(Cies)@Vce
45 nF @ 25 V
RoHS状态
RoHS non-compliant
FF600R12KF4NOSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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