Infineon Technologies AG FP40R12KE3
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FP40R12KE3
1211-FP40R12KE3
晶体管 - IGBT - 模块
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大陆
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INFINEON FP40R12KE3 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 55 A, 2.3 V, 200 W, 1.2 kV, EconoPIM
1最小包装量--
FP40R12KE3详情
Infineon Technologies AG FP40R12KE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
24
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
7
Operating Temperature (Max.)
175°C
无铅代码
icon-pbfree no
ECCN 代码
EAR99
端子位置
UPPER
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
24
JESD-30代码
R-XUFM-W24
资历状况
不合格
配置
COMPLEX
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)
200W
接通时间
140 ns
集电极电流-最大值(IC)
55A
关断时间-标准值(toff)
610 ns
集电极-发射器电压-最大值
1200V
栅极-发射极电压-最大值
20V
VCEsat-最大值
2.3 V
RoHS状态
符合RoHS标准
FP40R12KE3拓展信息
Infineon Technologies
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