Infineon Technologies AG FS600R07A2E3BOSA1
- 收藏
- 对比
FS600R07A2E3BOSA1
1211-FS600R07A2E3BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
Module
大陆
立即发货

Trans IGBT Module N-CH 650V 530A 1250000mW Automotive 33-Pin HYBRID2-1 Tray
1最小包装量--
FS600R07A2E3BOSA1详情
Infineon Technologies AG FS600R07A2E3BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
Module
供应商器件包装
-
ECCN (US)
EAR99
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)
1.3
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
650
Maximum Power Dissipation (mW)
1250000
Maximum Gate Emitter Voltage (V)
±20
Maximum Continuous Collector Current (A)
530
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)
0.4
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
150
AEC Qualified
有
AEC Qualified Number
AEC-Q101
Supplier Package
HYBRID2-1
Military
无
Mounting
Screw
Package Height
28.5(Max)
Package Length
216
Package Width
100
PCB changed
33
Package
Tray
Current-Collector (Ic) (Max)
530 A
Base Product Number
FS600R07
厂商
Infineon Technologies
Product Status
Obsolete
包装
Tray
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
系列
HybridPACK™ 2
零件状态
NRND
引脚数量
33
配置
Hex
功率 - 最大
1250 W
输入
Standard
最大集极截止电流
5 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
信道型
N
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.6V @ 15V, 400A
IGBT类型
沟渠现场停车
NTC热敏电阻
有
输入电容(Cies)@Vce
39 nF @ 25 V
RoHS状态
是,有豁免
FS600R07A2E3BOSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。