Infineon Technologies AG FS800R07A2E3BOSA2

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

表面安装

NO

供应商器件包装

Module

终端数量

33

晶体管元件材料

SILICON

ECCN (US)

EAR99

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

650

Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)

1.3

Maximum Gate Emitter Voltage (V)

±20

Maximum Power Dissipation (mW)

1500000

Maximum Continuous Collector Current (A)

700

Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)

0.4

Minimum Operating Temperature (°C)

-40

Maximum Operating Temperature (°C)

150

AEC Qualified Number

AEC-Q101

Supplier Package

HYBRID2-1

Military

无

Mounting

Screw

Package Height

20.5

Package Length

106.5

Package Width

97

PCB changed

33

Package

Tray

Current-Collector (Ic) (Max)

700 A

Base Product Number

FS800R07

厂商

Infineon Technologies

Product Status

Obsolete

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X33

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Turn-on Time-Nom (ton)

230 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

690 ns

Manufacturer Part Number

FS800R07A2E3BOSA2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

6

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.62

包装

Tray

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

HybridPACK™ 2

零件状态

Obsolete

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

Reach合规守则

compliant

引脚数量

33

JESD-30代码

R-XUFM-X33

配置

Hex

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

1500 W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

最大集极截止电流

5 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V

信道型

N

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.6V @ 15V, 550A

集电极电流-最大值(IC)

700 A

IGBT类型

沟渠现场停车

集电极-发射器电压-最大值

650 V

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

52 nF @ 25 V

RoHS状态

是,有豁免