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Infineon Technologies AG FS800R07A2E3XZ

Name: FS800R07A2E3XZ
Brand: Infineon Technologies AG
SKU: 1211-FS800R07A2E3XZ
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FS800R07A2E3XZ

品牌

Infineon Technologies AG

utmel 编号

1211-FS800R07A2E3XZ

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans IGBT Module N-CH 650V 700A 1500000mW Automotive 33-Pin HYBRID2-1 Tray

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FS800R07A2E3XZ Infineon Technologies AG Trans IGBT Module N-CH 650V 700A 1500000mW Automotive 33-Pin HYBRID2-1 Tray

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FS800R07A2E3XZ详情

技术参数

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Infineon Technologies AG FS800R07A2E3XZ重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
ECCN (US)

EAR99
HTS

8541.29.00.95
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)

1.3
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

650
Maximum Power Dissipation (mW)

1500000
Maximum Gate Emitter Voltage (V)

±20
Maximum Continuous Collector Current (A)

700
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)

0.4
Minimum Operating Temperature (°C)

-40
Maximum Operating Temperature (°C)

150
Automotive

有
AEC Qualified Number

AEC-Q101
Supplier Package

HYBRID2-1
Military

无
Mounting

Screw
Package Height

28.5(Max)
Package Length

216
Package Width

100
PCB changed

33
包装

Tray
零件状态

NRND
引脚数量

33
配置

Hex
信道型

N
RoHS状态

是,有豁免

0个相似型号

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