Infineon Technologies AG IMW65R048M1H

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

碳化硅

外壳材料

1

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Date Of Intro

2019-12-16

Drain Current-Max (ID)

39 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247

漏极-源极导通最大电阻

0.064 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100 A

DS 击穿电压-最小值

650 V

雪崩能量等级（Eas）

171 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

125 W

反馈上限-最大值 (Crss)

13 pF