Infineon Technologies AG IRFR24N15D
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IRFR24N15D
1211-IRFR24N15D
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 150V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3
1最小包装量--
IRFR24N15D详情
Infineon Technologies AG IRFR24N15D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
材料
connector housing - PVC-45P
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Nominal voltage
250 V
Cable cross-section
3 x 0.75 (42 strands x 0.15 mm) mm2
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description
PLASTIC, DPAK-3
Drain Current-Max (ID)
24 A
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Gross weight
330.00
Transport packaging size/quantity
48*28*38/100
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
Connector type
IEC C14 (Male) - IEC C13 (Female)
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
漏极-源极导通最大电阻
0.095 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
96 A
DS 击穿电压-最小值
150 V
雪崩能量等级(Eas)
170 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
饱和电流
1
直径
sheath - 6.5 ... 6.8 mm
长度
5000 mm
IRFR24N15D拓展信息
Infineon Technologies AG
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