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Infineon Technologies AG IRF7301TR

Name: IRF7301TR
Brand: Infineon Technologies AG
SKU: 1211-IRF7301TR
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IRF7301TR

品牌

Infineon Technologies AG

utmel 编号

1211-IRF7301TR

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA,

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IRF7301TR Infineon Technologies AG Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA,

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IRF7301TR详情

技术参数

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Infineon Technologies AG IRF7301TR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
质量

0.2 kg
终端数量

8
晶体管元件材料

SILICON
外壳材料

2
Gross Weight

215.00
Transport Packaging Size/Quantity

29*25*35/50
Equivalent

POS40
Melting Temperature

183...240 °C
Soldering Temperature

285...330 °C
Rohs Code

无
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Drain Current-Max (ID)

4.3 A
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
包装

coil
JESD-609代码

e3
ECCN 代码

EAR99
类型

Soft Tin-Lead Solder Sn/Pb
端子表面处理

哑光锡
组成

tin - 40%; lead - 60%
附加功能

逻辑电平兼容
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-PDSO-G8
资历状况

不合格
配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

MS-012AA
漏极-源极导通最大电阻

0.05 Ω
设计

wire
DS 击穿电压-最小值

20 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
饱和电流

2
直径

2 mm

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