Infineon Technologies AG IQE006NE2LM5

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Date Of Intro

2019-12-05

Drain Current-Max (ID)

298 A

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

SQUARE

Package Style

小概要

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

Reach合规守则

unknown

参考标准

IEC-61249-2-21; IEC-68-1

JESD-30代码

S-PDSO-N8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0008 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1192 A

DS 击穿电压-最小值

25 V

雪崩能量等级（Eas）

140 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

89 W

反馈上限-最大值 (Crss)

195 pF