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Infineon Technologies AG SPU02N60

Name: SPU02N60
Brand: Infineon Technologies AG
SKU: 1211-SPU02N60
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SPU02N60

品牌

Infineon Technologies AG

utmel 编号

1211-SPU02N60

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, 2 PIN

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SPU02N60 Infineon Technologies AG Description: Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, 2 PIN

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SPU02N60详情

技术参数

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Infineon Technologies AG SPU02N60重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

无
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Part Package Code

TO-251
Package Description

TO-251, 2 PIN
Drain Current-Max (ID)

2 A
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

IN-LINE
JESD-609代码

e0
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

锡铅
附加功能

雪崩额定
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

not_compliant
引脚数量

2
JESD-30代码

R-PSIP-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

5.5 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8 A
DS 击穿电压-最小值

600 V
雪崩能量等级（Eas）

135 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

55 W

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SPU02N60拓展信息

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