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Infineon Technologies AG IRLR3114ZTR

Name: IRLR3114ZTR
Brand: Infineon Technologies AG
SKU: 1211-IRLR3114ZTR
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IRLR3114ZTR

品牌

Infineon Technologies AG

utmel 编号

1211-IRLR3114ZTR

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3

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IRLR3114ZTR Infineon Technologies AG Description: Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3

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IRLR3114ZTR详情

技术参数

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Infineon Technologies AG IRLR3114ZTR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

2
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description

PLASTIC, DPAK-3
Drain Current-Max (ID)

42 A
Number of Elements

1
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
ECCN 代码

EAR99
附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
端子位置

SINGLE
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

compliant
JESD-30代码

R-PSSO-G2
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-252AA
漏极-源极导通最大电阻

0.0065 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

500 A
DS 击穿电压-最小值

40 V
雪崩能量等级（Eas）

260 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: Infineon Technologies AG IRLR3114ZTR.

数据表 :
IRSDS11330-1.pdf

IRLR3114ZTR拓展信息

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