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Infineon Technologies AG PTFA190451E

Name: PTFA190451E
Brand: Infineon Technologies AG
SKU: 1211-PTFA190451E
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

PTFA190451E

品牌

Infineon Technologies AG

utmel 编号

1211-PTFA190451E

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, H-30265-2, 2 PIN

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PTFA190451E Infineon Technologies AG RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, H-30265-2, 2 PIN

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PTFA190451E详情

技术参数

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Infineon Technologies AG PTFA190451E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

2
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

有
Part Life Cycle Code

Transferred
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description

FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

200 °C
Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
JESD-609代码

e4
无铅代码

有
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

GOLD
附加功能

HIGH RELIABILITY
端子位置

DUAL
终端形式

FLAT
Reach合规守则

compliant
引脚数量

2
JESD-30代码

R-CDFM-F2
资历状况

不合格
配置

SINGLE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

SOURCE
晶体管应用

AMPLIFIER
极性/通道类型

N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值

65 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段

L带

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies AG PTFA190451E.

数据表 :
5524cc2cb2e58da815e37d7ac2218725.pdf

PTFA190451E拓展信息

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