Infineon Technologies Canada Inc. GS66516B-TR
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GS66516B-TR
1211-GS66516B-TR
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
Die
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GS66516B-TR
1最小包装量--
GS66516B-TR详情
Infineon Technologies Canada Inc. GS66516B-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
Die
供应商器件包装
Die
厂商
Infineon Technologies Canada Inc.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
零件状态
活跃
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
32mOhm @ 18A, 6V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.3V @ 14mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
520 pF @ 400 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12.1 nC @ 6 V
漏源电压 (Vdss)
650 V
Vgs(最大值)
+7V, -10V
GS66516B-TR拓展信息
Infineon Technologies
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