Integrated Device Technology IDT7026L35GB

表面安装

NO

终端数量

84

Package Description

PGA, PGA84M,11X11

Package Style

网格排列

Number of Words Code

16000

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Equivalence Code

PGA84M,11X11

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

35 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IDT7026L35GB

Number of Words

16384 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

PGA

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.13

Part Package Code

PGA

Usage Level

Military grade

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

3A001.A.2.C

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER DOWN; LOW POWER STANDBY MODE

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

PERPENDICULAR

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

84

JESD-30代码

S-CPGA-P84

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

端口的数量

2

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.295 mA

组织结构

16KX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

5.207 mm

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.01 A

记忆密度

262144 bit

筛选水平

MIL-PRF-38535

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DUAL-PORT SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

输出启用

YES

宽度

27.94 mm

长度

27.94 mm