Integrated Device Technology IDT70T3519S200BCG

表面安装

YES

终端数量

256

Package Description

LBGA, BGA256,16X16,40

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

256000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Part Package Code

BGA

Risk Rank

5.33

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Part Life Cycle Code

活跃

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Package Shape

SQUARE

Package Code

LBGA

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Number of Words

262144 words

Clock Frequency-Max (fCLK)

200 MHz

Manufacturer Part Number

IDT70T3519S200BCG

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

70 °C

Access Time-Max

10 ns

Reflow Temperature-Max (s)

30

Package Equivalence Code

BGA256,16X16,40

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

256

JESD-30代码

S-PBGA-B256

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

2.6 V

电源

2.5,2.5/3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.4 V

端口的数量

2

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.525 mA

组织结构

256KX36

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.7 mm

内存宽度

36

待机电流-最大值

0.015 A

记忆密度

9437184 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DUAL-PORT SRAM

待机电压-最小值

2.4 V

宽度

17 mm

长度

17 mm