Integrated Device Technology IDT70V24S25J

表面安装

YES

终端数量

84

Package Description

1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-84

Package Style

CHIP CARRIER

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Words Code

4000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

LDCC84,1.2SQ

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

25 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IDT70V24S25J

Number of Words

4096 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

QCCJ

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

7.73

Part Package Code

LCC

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn85Pb15)

附加功能

INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

84

JESD-30代码

S-PQCC-J84

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3 V

端口的数量

2

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.19 mA

组织结构

4KX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

4.572 mm

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.005 A

记忆密度

65536 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DUAL-PORT SRAM

待机电压-最小值

3 V

宽度

29.3116 mm

长度

29.3116 mm