Integrated Device Technology IDT70V659S12BFGI

表面安装

YES

终端数量

208

Package Description

TFBGA, BGA208,17X17,32

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Part Package Code

BGA

Risk Rank

5.14

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Part Life Cycle Code

活跃

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Package Shape

SQUARE

Package Code

TFBGA

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Number of Words

131072 words

Manufacturer Part Number

IDT70V659S12BFGI

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

85 °C

Access Time-Max

12 ns

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Equivalence Code

BGA208,17X17,32

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

128000

Moisture Sensitivity Levels

3

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

208

JESD-30代码

S-PBGA-B208

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.45 V

电源

2.5/3.3,3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3.15 V

端口的数量

2

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.515 mA

组织结构

128KX36

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

36

待机电流-最大值

0.015 A

记忆密度

4718592 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DUAL-PORT SRAM

待机电压-最小值

3.15 V

长度

15 mm

宽度

15 mm