Integrated Device Technology IDT7132SA25L48B

表面安装

YES

终端数量

48

Package Description

QCCN, LCC48,.56SQ,40

Package Style

CHIP CARRIER

Number of Words Code

2000

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Equivalence Code

LCC48,.56SQ,40

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

25 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IDT7132SA25L48B

Number of Words

2048 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

QCCN

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.22

Part Package Code

LCC

Usage Level

Military grade

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

3A001.A.2.C

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

AUTOMATIC POWER-DOWN

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

端子间距

1.016 mm

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

48

JESD-30代码

S-CQCC-N48

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

端口的数量

2

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.28 mA

组织结构

2KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

3.048 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.03 A

记忆密度

16384 bit

筛选水平

MIL-PRF-38535

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DUAL-PORT SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

宽度

14.3002 mm

长度

14.3002 mm