Integrated Device Technology (IDT) 0NB

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

MRF6V2150NBR1

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PDFM-F4

Risk Rank

5.37

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

225 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

40

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDFM-F4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-272

DS 击穿电压-最小值

110 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最高频段

超高频段