Integrated Device Technology (IDT) IDT70914S20J
- 收藏
- 对比
IDT70914S20J
1179-IDT70914S20J
连接器,连接线
--
大陆
立即发货

Dual-Port SRAM, 4KX9, 20ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68
1最小包装量--
IDT70914S20J详情
Integrated Device Technology (IDT) IDT70914S20J重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
68
Package Description
PLASTIC, LCC-68
Package Style
CHIP CARRIER
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words Code
4000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
LDCC68,1.0SQ
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
20 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IDT70914S20J
Number of Words
4096 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
QCCJ
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Risk Rank
7.97
Part Package Code
LCC
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
附加功能
AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE; SELF TIMED WRITE
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
68
JESD-30代码
S-PQCC-J68
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
2
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.29 mA
组织结构
4KX9
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
4.57 mm
内存宽度
9
待机电流-最大值
0.015 A
记忆密度
36864 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DUAL-PORT SRAM
待机电压-最小值
4.5 V
输出启用
YES
宽度
24.2062 mm
长度
24.2062 mm
IDT70914S20J拓展信息
Integrated Device Technology (IDT)
Integrated Device Technology (IDT)
Integrated Device Technology (IDT)
Integrated Device Technology (IDT)
Integrated Device Technology (IDT)
Integrated Device Technology (IDT)
Integrated Device Technology (IDT)
Integrated Device Technology (IDT)
Integrated Device Technology (IDT)
Integrated Device Technology (IDT)







哦! 它是空的。