Integrated Device Technology (IDT) IDT70V24L25G
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IDT70V24L25G
1179-IDT70V24L25G
连接器,连接线
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Dual-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, PGA-84
1最小包装量--
IDT70V24L25G详情
Integrated Device Technology (IDT) IDT70V24L25G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
84
Package Description
1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, PGA-84
Package Style
网格排列
Number of Words Code
4000
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Equivalence Code
PGA84M,11X11
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
25 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IDT70V24L25G
Part Package Code
PGA
Risk Rank
5.14
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Package Shape
SQUARE
Package Code
PGA
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Number of Words
4096 words
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
PERPENDICULAR
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
84
JESD-30代码
S-CPGA-P84
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
端口的数量
2
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.165 mA
组织结构
4KX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
5.207 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.0025 A
记忆密度
65536 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DUAL-PORT SRAM
待机电压-最小值
3 V
宽度
27.94 mm
长度
27.94 mm
IDT70V24L25G拓展信息
Integrated Device Technology (IDT)
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