Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS43DR83200A-3DBLI

工厂交货时间

12 Weeks

表面安装

YES

底架

表面贴装

引脚数

60

终端数量

60

Manufacturer Part Number

IS43DR83200A-3DBLI

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Part Package Code

BGA

Package Description

TFBGA, BGA60,9X11,32

Risk Rank

5.84

Access Time-Max

0.45 ns

Clock Frequency-Max (fCLK)

333 MHz

Number of Words

33554432 words

Number of Words Code

32000000

Operating Temperature-Max

85 °C

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Code

TFBGA

Package Equivalence Code

BGA60,9X11,32

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Reflow Temperature-Max (s)

40

RoHS

Compliant

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

HTS代码

8542.32.00.24

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

60

JESD-30代码

R-PBGA-B60

资历状况

不合格

工作电源电压

1.8 V

电源电压-最大值(Vsup)

1.9 V

电源

1.8 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

最大电源电压

1.9 V

最小电源电压

1.7 V

内存大小

32 MB

端口的数量

1

电源电流

330 mA

操作模式

SYNCHRONOUS

最大电源电流

135 mA

电源电流-最大值

0.33 mA

访问时间

3 ns

数据总线宽度

8 b

组织结构

32MX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

8

地址总线宽度

15 b

密度

256 Mb

待机电流-最大值

0.005 A

记忆密度

268435456 bit

最高频率

333 MHz

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

4,8

交错突发长度

4,8

访问模式

四库页面突发

自我刷新

YES

长度

10.5 mm

宽度

8 mm