Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS43TR16640BL-125KBL
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IS43TR16640BL-125KBL
1266-IS43TR16640BL-125KBL
存储器连接器 - 配件
96-TFBGA
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1G, 1.35V, DDR3L, 64MX16, 1600MT/S @ 11-11-11, 96 BALL BGA (9MM X13MM) ROHS
1最小包装量--
IS43TR16640BL-125KBL详情
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) IS43TR16640BL-125KBL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
6 Weeks
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
包装/外壳
96-TFBGA
供应商器件包装
96-TWBGA (9x13)
终端数量
96
Manufacturer Part Number
IS43TR16640BL-125KBL
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
Package Description
TFBGA,
Risk Rank
6.85
Number of Words
67108864 words
Number of Words Code
64000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.35 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package
Tray
Base Product Number
IS43TR16640
厂商
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Product Status
Obsolete
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C ~ 95°C (TC)
系列
Automotive, AEC-Q100
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.32
电压 - 供电
1.283V ~ 1.45V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B96
电源电压-最大值(Vsup)
1.45 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.283 V
内存大小
1Gbit
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
800 MHz
访问时间
20 ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
64MX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
记忆密度
1073741824 bit
内存IC类型
DDR DRAM
访问模式
多库页面突发
自我刷新
YES
组织的记忆
64M x 16
长度
13 mm
宽度
9 mm
IS43TR16640BL-125KBL拓展信息
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
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