International Rectifier IRF1312S

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IRF1312S

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

International Rectifier

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

Risk Rank

5.14

Drain Current-Max (ID)

75 A

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.8 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

80 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

95 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

95 A

漏极-源极导通最大电阻

0.01 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

380 A

DS 击穿电压-最小值

80 V

雪崩能量等级（Eas）

250 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

210 W