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International Rectifier IRF5210STRR

Name: IRF5210STRR
Brand: International Rectifier
SKU: 1240-IRF5210STRR
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IRF5210STRR

品牌

International Rectifier

utmel 编号

1240-IRF5210STRR

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

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IRF5210STRR International Rectifier Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

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IRF5210STRR详情

技术参数

International Rectifier IRF5210STRR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装

D2PAK
Lead Free Status / RoHS Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Power Dissipation (Max)

3.8W (Ta), 200W (Tc)
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
系列

HEXFET®
包装

Tape & Reel (TR)
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

60 mOhm @ 24A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2700pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

180nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)

100V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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