International Rectifier IRF5210STRR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件包装

D2PAK

Lead Free Status / RoHS Status

Contains lead / RoHS non-compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

40A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

60 mOhm @ 24A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

180nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-