International Rectifier IRF8327STRPBF

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric SQ

引脚数

8

供应商器件包装

DIRECTFET™ SQ

包装数量

4800

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

9.3 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A (Ta), 60A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

International Rectifier

Power Dissipation (Max)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

Product Status

活跃

包装

Tape & Reel

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

最大功率耗散

2.2 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

功率耗散

42 W

接通延迟时间

7.8 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.3mOhm @ 14A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 25µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1430 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14 nC @ 4.5 V

上升时间

8.9 ns

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

60 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏源击穿电压

30 V

输入电容

1.43 nF

最大结点温度（Tj）

150 °C

场效应管特性

-

漏源电阻

10.9 mΩ

最大rds

7.3 mΩ

通态电阻

7.3 mΩ

辐射硬化

无

无铅

无铅